台积电3nm制程工艺即将投产：密度比5nm高60%

据techpowerup报道称，台积电正在开发3nm的工艺制程，包罗了N3、N3B和N3E多个节点。

据领会，台积电原设计在2022下半年量产N3节点，N3E量产设计为2023年下半年。

但由于作为3nm简化版的N3E节点，量产率较高，台积电希望早日实现商业化，可能提前到2023年上半年。

N3E的工艺流程也已经提前准备好了，在这个月尾就会确定下来。

据悉，N3E在N3基础上削减了EUV光罩层数，从25层削减到21层，逻辑密度低了8%，不外仍比5nm的N5制程节点要凌驾60%，而且具有更好的性能、功耗和产量。

相比之下，听说N3的逻辑密度比N5高70%。

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另有N3B，听说是针对某些客户的 N3 的改善版本，不外我们现在对N3B节点知之甚少。

无论N3E照样N3B，都不是用于取代N3，只是让客户有更多的选择，在差异产物上有更好的性能和功耗显示。

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